سامسونج تؤجل إنتاج شرائح 3 نانوميتر لهذا السبب!

سامسونج هي واحدة من الشركات الرائدة في قطاع صناعة رقائق أشباه الموصلات الإلكترونية، ولكن يبدو أنها بدأت تُعاني في الآونة الأخيرة من معدلات العائدات الضعيفة.

فبحسب ما ورد في آخر التقارير نقلاً عن عدة مصادر أجنبية فلقد خسرت الشركة شراكتها مع شركة كوالكم مؤخراً بسبب تفضيل كوالكم التعاون مع TSMC التايوانية بدلاً من سامسونج وذلك بسبب ضعف عملية إنتاج شرائح 4 نانوميتر.

الشركة الكورية الجنوبية العملاقة كانت تأمل أن يتحسن وضعها مع شرائح 3 نانوميتر ولكن “تجري الرياح بما لا تشتهي السفن” وبناءً على بعض التقارير الصادرة عن المواقع الإخبارية والتقنية الكورية فإن سامسونج قررت تأجيل إنتاج رقائق 3 نانوميتر بسبب ضعف معدل العائدات.

سامسونج تؤجل إنتاج رقائق 3 نانوميتر

كان من المتوقع أن تستخدم الشركة الكورية بنية Gate-All-Around واختصارها GAA من أجل تطوير عقدة معالجة 3 نانوميتر هذا العام والتي وهي بمثابة قفزة عالية في تقنية بنية الرقائق وأفضل كثيراً مقارنة ببنية FinFET المستخدمة حالياً مع شرائح 4 نانوميتر.

جدير بالذكر أن شركة TSMC لا تزال تستخدم بنية FinFET مع رقائقها القادمة في المستقبل القريب بعقدة تصنيع 3 نانوميتر إذا إنها تخطط للانتقال إلى تقنية GAA بحلول عام 2025 مع تقنية معالجة 2 نانوميتر.

ولكن بالعودة إلى شركة سامسونج، يبدو أن العملاق الكوري يكافح بسبب ضعف العائدات الضعيفة لرقائق الجيل التالي حيث صرحت بعض المصادر أن عائدات سامسونج من عقدة تصنيع 3 نانوميتر أقل بنسبة 20% تقريباً وهذا يعني أن 20 شريحة فقط من أصل 100 شريحة تفي بمعايير الجودة المطلوبة وهو عائد ضعيف جداً إذا ما حاولنا مقارنته بعائد معالج Snapdragon 8 Gen 1 SoC ذات عقدة تصنيع 4 نانوميتر.

على كل حال، إذا كان هذا يعني أي شيء فهو يعني شيء واحد فقط وهو أن شركة سامسونج ليست على أتم الاستعداد من أجل تصنيع رقائق 3 نانوميتر المستندة على بنية GAA وبالتالي هي لن تستطيع أن تزود شركة كوالكم بالرقائق المطلوبة في الوقت المناسب لأنها لن تبدأ في تطوير هذه الشرائح إلا بحلول نهاية العام القادم على أقل تقدير.

في النهاية، إذا لم تكن شركة سامسونج قادرة على إيجاد حل لمشكلة العائدات الضعيفة خلال وقت قريب فمن الممكن أن تلحق بها شركة TSMC في غضون سنوات قليلة وتصبح TSMC هي أكبر شركة مصنعة لرقائق أشباه الموصلات الإلكترونية في العالم.